PIN-диод — разновидность диода, в котором между областями электронной (n) и дырочной (p) проводимости находится собственный (нелегированный, англ. intrinsic) полупроводник (i-область). p и n области как правило легируются сильно, так как они часто используются для омического контакта к металлу.
Широкая нелегированная i-область делает pin-диод плохим выпрямителем (обычное применение для диода), но, с другой стороны, это позволяет использовать его в аттенюаторах (ослабителях сигнала), быстрых переключателях, фотодетекторах, а также в высоковольтной электронике.
| Наименование | Производитель | Описание |
|---|---|---|
| IRF7807D1 | International Rectifier | |
| IRF7807D2 | International Rectifier | |
| IRF7807VD1 | International Rectifier | |
| IRF7807VD2 | International Rectifier | |
| 1N6264 | Optoelectronics | |
| 71061 | Vishay Siliconix | |
| BAT54C-7 | Diodes Incorporated | |
| BAT54CDW | Diodes Incorporated | |
| BAT54CDW-7 | Diodes Incorporated | |
| BAT54CFILM | STMicroelectronics | |
| BAT54CSM | Seme | |
| BAT54C-T1 | Won-Top Electronics | |
| BAT54C-T3 | Won-Top Electronics | |
| BAT54CW-T1 | Won-Top Electronics | |
| BAT54CW-T3 | Won-Top Electronics | |
| BAT54RCLT1 | Zowie Technology Corporation | |
| TLP722 | Toshiba Semiconductor | |
| CD5356B | Compensated Deuices Incorporated | |
| CMZ5356B | Central Semiconductor Corp | |
| DS1104SG27 | Dynex Semiconductor | |
| TR1104SG27 | TRSYS | |
| DS1107SG37 | Dynex Semiconductor | |
| TR1107SG37 | TRSYS | |
| DS1109SG47 | Dynex Semiconductor | |
| DS1112SG57 | Dynex Semiconductor | |
| SG5768 | Microsemi Corporation | |
| SG5770 | Microsemi Corporation | |
| SG5772 | Microsemi Corporation | |
| SG5774 | Microsemi Corporation | |
| SG5774F | Microsemi Corporation | |
| BUPD1520 | Power Innovations Limited | |
| LMH6533 | National Semiconductor | |
| LMH6533SP | National Semiconductor | |
| LMH6533SPX | National Semiconductor | |
| CM521613 | Powerex Power Semiconductors | |
| DF25216 | Dynex Semiconductor | |
| DF45216 | Dynex Semiconductor | |
| CD471290 | Powerex Power Semiconductors | |
| CD471290A | Powerex Power Semiconductors | |
| IMN10 | Rohm | |
| IMP11 | Rohm | |
| 1SV232 | Toshiba Semiconductor | |
| HGT4E20N60A4DS | Fairchild Semiconductor | |
| HGTG20N60A4D | Fairchild Semiconductor | |
| HGTG20N60B3D | Fairchild Semiconductor | |
| HGTG20N60C3D | Fairchild Semiconductor | |
| MGW20N60D | Motorola, | |
| SKW20N60 | Infineon Technologies | |
| 1SV239 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS309 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS301 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SV228 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS226 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS181 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS193 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS184 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS300 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SS352 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SV160 | Toshiba Semiconductor | |
| 1SV285 | Toshiba Semiconductor | |
| MLL957B | Microsemi Corporation | |
| CMZ5953B | Central Semiconductor Corp | |
| BAS125-07 | Siemens Semiconductor Group | |
| BAS125-07W | Siemens Semiconductor Group | |
| BA892 | Philips Semiconductors | |
| BA892-02L | Infineon Technologies | |
| BA892-02V | Infineon Technologies | |
| BAS40-02L | Infineon Technologies | |
| BAS40-02V | Vishay Siliconix | |
| BAS40-02V-GS08 | Vishay Siliconix | |
| BAS40-02V-GS18 | Vishay Siliconix | |
| BAS40-06HT1 | Leshan Radio Company | |
| BAS40-06LT1 | Semiconductor | |
| BAS40-07W | Siemens Semiconductor Group | |
| BAS40BRW | Diodes Incorporated | |
| BAS40DW-04 | Diodes Incorporated | |
| BAS40DW-05 | Diodes Incorporated | |
| BAS40DW-06 | Diodes Incorporated | |
| BAS40L | Philips Semiconductors | |
| BAS40-T1 | Siemens Semiconductor Group |